| 名稱 | 特性 | 使用設備 |
| 銅CMP6376拋光液 | 廣泛用用于130nm及以下技術節點邏輯芯片的制造工藝 | CMP研磨 拋光機 |
| 鎢CMP6371拋光液 | 大量應用于儲存芯片制造工藝 | |
| 硅CMP6370粗拋光液 | 主要應用于硅晶圓的初步加工過程中 | |
| 鈷CMP6378拋光液 | ||
| 淺槽隔離層CMP6375拋光液 | 用于磨去氮化硅層高的所有氧化硅 | |
| 層間介質層CMP6373拋光液 | 用于去除和平坦二氧化硅、氧化硅層間介質 | |
| 3D封裝硅通孔CMP6379拋光液 | 用于硅通孔銅淀積后的正面拋光等 |
銅CMP6376拋光液、鎢CMP6371拋光液、硅CMP6370粗拋光液、鈷CMP6378拋光液
淺槽隔離層CMP6375拋光液、層間介質層CMP6373拋光液、3D封裝硅通孔CMP6379拋光液
| 名稱 | 特性 | 使用設備 |
| 銅CMP6376拋光液 | 廣泛用用于130nm及以下技術節點邏輯芯片的制造工藝 | CMP研磨 拋光機 |
| 鎢CMP6371拋光液 | 大量應用于儲存芯片制造工藝 | |
| 硅CMP6370粗拋光液 | 主要應用于硅晶圓的初步加工過程中 | |
| 鈷CMP6378拋光液 | ||
| 淺槽隔離層CMP6375拋光液 | 用于磨去氮化硅層高的所有氧化硅 | |
| 層間介質層CMP6373拋光液 | 用于去除和平坦二氧化硅、氧化硅層間介質 | |
| 3D封裝硅通孔CMP6379拋光液 | 用于硅通孔銅淀積后的正面拋光等 |
